7나노

중국은 메모리 생산과 팹리스(반도체 설계), 파운드리, 완제품 업체 등을 ‘원팀’ 체제로 운영하며 정부 주도로 반도체 굴기를 실현하고 있다. 그런 만큼 화훙반도체는 충분한 7나노 파운드리 실증 기회를 확보할...

사진=삼성전자 “갤럭시 S25 울트라 끌고 A시리즈 밀고” 투트랙 전략에 2억대 출고...전년比 10.7%↑ 17일... 삼성전자는 작년 역대 최대 규모인 37조원의 연구개발비(R&D)를 회사 차원에서 쏟아부었고, 2나노 기반...

양사 파트너십이 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 4나노 파운드리로 확장되면서 AI 반도체 동맹 관계가... 연산 반도체 내 S램(정적 랜덤 액세스 메모리)을 탑재해 병목 현상을 최소화했다. 황 CEO는 삼성에 감사 인사를...

설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다. 또한 '엔비디아... HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을...

협력이 파운드리와 메모리 전 영역으로 확대되며 새로운 국면을 맞이하고 있다. 젠슨 황 엔비디아... 이번 발표로 삼성전자 파운드리 사업부가 엔비디아의 핵심 칩 생산을 담당하고 있다는 사실이 공식화됐다. 그록3...

삼성전자는 이번 전시 'HBM4 Hero Wall'을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리 로직 설계와 파운드리를 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다고 설명했다. 아울러 'Nvidia Gallery'를...

1c D램ㆍFoundry 4나노 기반 HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼 최초 공개 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 Hero... 삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 Foundry 4나노 베이스 다이...

현재 양산 중인 HBM4와 후속 제품 HBM4E의 '베이스 다이(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품)'에는 4나노(㎚·10억분의 1m) 공정이 적용된다. 이후 세대인 HBM5와 HBM5E에는 삼성 파운드리의 2나노 공정 적용을 추진하고 있다....

4나노 웨이퍼 등을 살펴봤다. 그러면서 그는 “삼성에는 세계 최고가 많다”고 치켜 세웠다. 황 CEO는... 삼성전자는 또 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에...

1c D램·Foundry 4나노 기반 HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼 최초 공개 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 Hero... 삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 Foundry 4나노 베이스...